人教版2019選擇性必修2第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（B卷能力提升練）高二化學(xué)分層訓(xùn)練AB卷（人教版含解析答案

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第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(B卷·能力提升練) (時(shí)間：75分鐘，滿分：100分) 一、選擇題(本題共16小題，每小題3分，共48分。) 1．下列說(shuō)法正確的是 A．粉末狀的固體肯定不是晶體 B．在非晶體的X-射線衍射圖譜上可能有分立的斑點(diǎn) C．缺角的氯化鈉晶體在飽和的NaCl溶液中慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊 D．用紅熱的鐵針刺中玻璃上凝固的石蠟，在不同方向上熔化的快慢不同 2．下列敘述錯(cuò)誤的是 A．超分子是由兩個(gè)或多個(gè)分子相互“組合”在一起形成具有特定結(jié)構(gòu)和功能的聚集體，能表現(xiàn)出不同于單個(gè)分子的性質(zhì) B．液晶內(nèi)部分子沿分子長(zhǎng)軸方向有序排列，使液晶具有各向異性 C．液晶是液體和晶體的混合物 D．納米材料包括納米顆粒與顆粒間的界面兩部分組成 3．下列晶體的堆積方式符合如圖所示的是 A．金剛石 B．干冰 C．冰 D．NaCl 4．下列各組晶體物質(zhì)中：①SiO2和SO3；②晶體硼和HCl；③CO2和SO2；④晶體硅和金剛石；⑤晶體氖和晶體氮；⑥硫黃和碘，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是 A．①②③ B．④⑤⑥ C．③④⑥ D．①③⑤ 5．用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的是，下列敘述中不正確的是 A．1mol金剛石晶體中含有碳碳單鍵的數(shù)目是2NA B．12g石墨烯(單層石墨)中含有六元環(huán)的個(gè)數(shù)為0.5 NA C．1mol二氧化硅晶體中含有硅氧單鍵的數(shù)目為4NA D．1molP4晶體中，P-P鍵的數(shù)目為4NA 6．含有多個(gè)配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過(guò)螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種原子序數(shù)為48的Cd2+配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示，則下列說(shuō)法正確的是 A．該螯合物中N的雜化方式有2種 B．1mol該配合物中通過(guò)螯合作用形成的配位鍵有6mol C．Cd屬于d區(qū)元素 D．Cd的價(jià)電子排布式為4d85s2 7．圖為冰晶體的結(jié)構(gòu)模型，大球代表O，小球代表H。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是 A．冰晶體中每個(gè)水分子與另外四個(gè)水分子形成四面體結(jié)構(gòu) B．冰晶體具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，是共價(jià)晶體 C．水分子間通過(guò)鍵形成冰晶體 D．冰融化后，水分子之間的空隙增大 8．化學(xué)上存在許多的遞變關(guān)系，下列遞變關(guān)系完全正確的是 A．熔沸點(diǎn)；硬度： B．穩(wěn)定性：；沸點(diǎn)： C．酸性：；非金屬性： D．第一電離能：；電負(fù)性： 9．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 A．SiC和Si的結(jié)構(gòu)相似，都屬于共價(jià)晶體，熔點(diǎn) B．B與Si的單質(zhì)性質(zhì)差異很大 C．和的價(jià)電子數(shù)相同 D．如圖所示銀的晶胞中含有4個(gè)銀原子 10．磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中的每個(gè)原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，原子坐標(biāo)A為，B為，D為。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是 A．磷化硼晶體的化學(xué)式為BP，屬于離子晶體 B．C原子的坐標(biāo)參數(shù)為 C．磷化硼晶體的熔點(diǎn)很低 D．磷化硼晶體結(jié)構(gòu)中微粒的空間堆積方式與氯化鈉晶體相同 11．鐵有δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)，以下依次是δ、γ、α三種晶體的晶胞在不同溫度下轉(zhuǎn)化的示意圖。下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是 A．每個(gè)δ-Fe晶體中有2個(gè)鐵原子 B．γ-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個(gè) C．每個(gè)γ-Fe晶胞中含有14個(gè)鐵原子 D．將鐵加熱到1500 ℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到晶體類型不相同 12．分子晶體的熔點(diǎn)通常都在200℃以下，下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)：據(jù)此做出的下列判斷中正確的是 A．NaCl晶體熔化時(shí)，吸收的熱量用于破壞離子鍵 B．表中只有BCl3和干冰是分子晶體 C．碳和硅是同一主族，故CO2和 SiO2的晶體類型相同 D．兩種含鈉化合物是離子晶體，三種含鋁化合物也是離子晶體 13．為白色固體，難溶于水和乙醇，潮濕時(shí)易被氧化，常用作媒染劑。以印刷線路板堿性蝕刻廢液(主要成分為)為原料制備的工藝流程如下。下列說(shuō)法正確的是 A．中配體分子中的共價(jià)鍵是由N的2p軌道和H的1s軌道“頭碰頭”重疊形成的 B．“沉銅”發(fā)生反應(yīng)的離子方程式： C．“還原”后所得溶液中大量存在的離子有、、、 D．“洗滌”時(shí)使用乙醇能防止被氧化 14．氧化亞銅(Cu2O)主要用于制造殺蟲(chóng)劑、分析試劑和紅色玻璃等，在潮濕的空氣中會(huì)被逐漸氧化為黑色的氧化銅。以肼(N2H4)為原料與醋酸銅反應(yīng)制取Cu2O的反應(yīng)為4Cu(CH3COO)2+N2H4+2H2O=2Cu2O↓+N2+8CH3COOH。生成的沉淀需先用水洗滌，再用乙醇洗滌。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 A．N2H4能與水分子形成分子間氫鍵 B．如圖所示的Cu2O的晶胞中，與Cu+距離最近且等距離的O2-的個(gè)數(shù)是4 C．每生成標(biāo)準(zhǔn)狀況下2.24 LN2，反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.4×6.02×1023 D．沉淀用水洗后，再用乙醇洗可以除去Cu2O表面的水，從而快速得到較干燥的產(chǎn)品 15．NiO晶體與NaCl具有相同晶胞結(jié)構(gòu)。在一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如圖所示)，可以認(rèn)為作密置單層排列，填充其中。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，半徑為r pm。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 A．Ni位于元素周期表第4周期第Ⅷ族 B．NiO晶體中、的配位數(shù)均為6 C．NiO晶胞中八面體空隙與四面體空隙比為1：2 D．該“單分子層”面積密度為 16．鋁離子電池常用離子液體AlCl3/[EMIM]Cl作電解質(zhì)，其中陰離子有AlCl、Al2Cl，陽(yáng)離子為EMIM+()，EMIM+以單個(gè)形式存在時(shí)可以獲得良好的溶解性能。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是 A．EMIM+中存在大π鍵，表示為π B．Al2Cl中各原子最外層均達(dá)到8電子結(jié)構(gòu) C．1mol EMIM+中所含σ鍵17mol D．為使EMIM+獲得良好的溶解性，不能將與N原子相連的－CH3、－C2H5替換為H原子 二、非選擇題(本題共4小題，共52分。) 17．氮(N)、鎵(Ga)合金由于其良好的電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明性被廣泛用于薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，氮化鎵晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被N原子代替，頂點(diǎn)和面心的碳原子被Ga原子代替。 (1)以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是_______(填字母)。 A．GaN晶體中存在非極性共價(jià)鍵 B．電負(fù)性：N>Ga C．原子半徑：N>Ga D．沸點(diǎn)： (2)晶胞中與同一個(gè)N原子相連的Ga原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為 ，晶胞中與Ga原子相鄰且最近的Ga原子個(gè)數(shù)為 。 (3)以晶胞邊長(zhǎng)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中的原子位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。A原子坐標(biāo)為(0，，)，則B原子坐標(biāo)為 。 (4)若GaN晶胞邊長(zhǎng)為a pm，則Ga原子與N原子的最短核間距為 pm。 18．銅及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有廣泛的應(yīng)用。 Ⅰ.金屬銅的原子堆積模型如圖-1所示， (1)該晶胞中每個(gè)Cu原子周圍最近距離的Cu原子數(shù)目為 。 Ⅱ.能與、、、等形成配位數(shù)為4的配合物。 (2)向溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成。中除了配位鍵外，還存在的化學(xué)鍵類型有_______(填字母)。 A．離子鍵 B．金屬鍵 C．極性共價(jià)鍵 D．非極性共價(jià)鍵 (3)將CuO投入、的混合溶液中進(jìn)行“氨浸”，控制溫度為50~55℃，pH約為9.5，CuO轉(zhuǎn)化為溶液。 ①CuO被浸取的離子方程式為 。 ②結(jié)構(gòu)中，若用兩個(gè)分子代替兩個(gè)分子，可以得到兩種不同結(jié)構(gòu)的化合物，由此推測(cè)的空間構(gòu)型為 。 (4)可以與乙二胺()形成配離子，如題圖-2所示： ③H、O、N三種元素的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)? 。 ④乙二胺分子中N原子成鍵時(shí)采取的雜化類型是 。乙二胺和三甲胺均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高很多，原因是 。 Ⅲ.將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中，會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大，稱其為順磁性物質(zhì)， (5)下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是 (填標(biāo)號(hào))。 A.????B.????C. 19．磷酸鐵鋰()是一種重要的鋰離子電池正極材料。 (1)的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖-1所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和正四面體，它們通過(guò)共頂點(diǎn)、共棱形成空間鏈結(jié)構(gòu)。 ①圖-1、圖-2中小球表示的是 (填微粒符號(hào))。 ②圖-1中每個(gè)晶胞中含有的單元數(shù)有 個(gè)。 (2)利用鈦鐵礦(主要成分為，含有少量MgO、CaO、等雜質(zhì))制備磷酸鐵和鋰離子電池正極材料()的部分工業(yè)流程如圖4所示： ①基態(tài)與離子中未成對(duì)的電子數(shù)之比為 。 ②磷酸根離子的空間構(gòu)型為 。 ③1mol分子中含有的σ鍵的數(shù)目為 。 ④煅燒得到的化學(xué)方程式為 。 ⑤制備的過(guò)程中，理論上所需17%雙氧水與的質(zhì)量比為 。 20．鹵素鈣鈦礦已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極體等領(lǐng)域，其中合成二維/三維(2D/3D)的鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)是提升器件穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的一個(gè)策略，近期化學(xué)工作者在氣相合成的單晶三維鈣鈦礦CsPbBr3上合成外延生長(zhǎng)的水平和垂直的二維鈣鈦礦(PEA)2PbBr4(PEA+代表)異質(zhì)結(jié)?；卮鹣铝袉?wèn)題： (1)基態(tài)Br原子的價(jià)電子排布式為 。 (2)PEA+中N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為 ，雜化軌道類型為 ，PEA+中涉及元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)? ，1molPEA+中存在 molσ鍵。 (3)已知鉛鹵化合物中存在正四面體構(gòu)型的[PbCl4]2-、[PbBr4]2-、[PbI4]2-，三者中半徑最小的配體為 。已知[Pb2I6]2-中每個(gè)Pb均采用四配位模式，則[Pb2I6]2-的結(jié)構(gòu)式為 。 (4)Br2和堿金屬單質(zhì)形成的MBr熔點(diǎn)如表： 等量NaBr、KBr、RbBr、CsBr同時(shí)開(kāi)始加熱優(yōu)先導(dǎo)電的是 (填化學(xué)式)，熔點(diǎn)呈現(xiàn)表中趨勢(shì)的原因是 。 (5)已知三維立方鈣鈦礦CsPbBr3中三種離子在晶胞(a)中占據(jù)正方體頂點(diǎn)、面心、體心位置，圖(b)顯示的是三種離子在xz面、yz面、xy面上的位置： 若晶胞邊長(zhǎng)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為 g·cm-3 (寫出表達(dá)式)。 ②上述晶胞沿體對(duì)角線方向的投影圖為 (填標(biāo)號(hào))。 A. B. C.?????D. 物質(zhì)Na2ONaClAIF3AlCl3BCl2Al2O3CO2SiO2熔點(diǎn)/℃9208011291190－1072073－571723MBrNaBrKBrRbBrCsBr熔點(diǎn)/℃747734693636參考答案： 1．C 【詳解】A．晶體可以通過(guò)外部條件變成粉末狀固體，如通過(guò)研磨，熔融態(tài)時(shí)迅速冷卻等方法都可以得到看不出幾何外形的粉末，A錯(cuò)誤； B．在非晶體的X-射線衍射圖譜上看不到分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰，B錯(cuò)誤； C．晶體的自范性是指在適宜條件下，晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)封閉的規(guī)則的多面體外形的性質(zhì)，這一適宜條件一般指的是自動(dòng)結(jié)晶析出的條件，缺角的氯化鈉晶體在飽和的NaCl溶液中慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊，C正確； D．晶體的許多物理性質(zhì)表現(xiàn)出各向異性，但玻璃是非晶體，不具有物理性質(zhì)各向異性的特點(diǎn)，所以用紅熱的鐵針刺中玻璃上凝固的石蠟，在不同方向上熔化的快慢相同，D錯(cuò)誤； 故答案選C。 2．C 【詳解】A．超分子能表現(xiàn)出不同于單個(gè)分子的性質(zhì)，其原因是兩個(gè)或多個(gè)分子相互“組合”在一起，形成具有特定結(jié)構(gòu)和功能的聚集體，A正確； B．液晶具有各向異性，其原因是液晶內(nèi)部分子沿分子長(zhǎng)軸方向進(jìn)行有序排列，B正確； C．液晶是某些特殊的化合物，不是混合物，C錯(cuò)誤； D．納米材料包括納米顆粒和顆粒間的界面兩部分，D正確； 故選C。 3．B 【分析】圖中堆積方式為面心立方密堆積。 【詳解】A．金剛石的晶胞結(jié)構(gòu)為正四面體結(jié)構(gòu)，A不符合題意； B．干冰為面心立方密堆積結(jié)構(gòu)，B符合題意； C．冰的晶胞為正四面體結(jié)構(gòu)，C不符合題意； D．NaCl的晶胞結(jié)構(gòu)為面心立方密堆積，但晶胞中心還有一個(gè)離子，與圖中結(jié)構(gòu)不同，D不符合題意； 故選B。 4．C 【詳解】①二氧化硅是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，三氧化硫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，兩者的晶體類型不同，故不符合題意； ②晶體硼是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，氯化氫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，兩者的晶體類型不同，故不符合題意； ③二氧化碳是含有共價(jià)鍵的分子晶體，二氧化硫是含有共價(jià)鍵的分子晶體，兩者的化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同，故符合題意； ④晶體硅是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，金剛石是含有共價(jià)鍵的共價(jià)晶體，兩者的化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同，故符合題意； ⑤晶體氖是不含有共價(jià)鍵的分子晶體，晶體氮是含有共價(jià)鍵的分子晶體，兩者的化學(xué)鍵類型不同，故不符合題意； ⑥硫黃是含有共價(jià)鍵的分子晶體，碘是含有共價(jià)鍵的分子晶體，兩者的化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同，故符合題意； ③④⑥符合題意，故選C。 5．D 【詳解】A．在金剛石晶體中，每個(gè)C原子與周圍的4個(gè)C原子以單鍵相連，平均每個(gè)C原子形成2個(gè)碳碳單鍵，則1mol金剛石晶體中含有碳碳單鍵的數(shù)目是2NA，A正確； B．在石墨烯中，6個(gè)C原子形成1個(gè)六元環(huán)，平均每個(gè)C原子形成3個(gè)六元環(huán)，則平均1個(gè)六元環(huán)含有2個(gè)C原子，12g石墨烯(單層石墨)的物質(zhì)的量為1mol，則含有六元環(huán)的個(gè)數(shù)為×NAmol-1=0.5 NA，B正確； C．在二氧化硅晶體中，每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子相連，每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子相連，則平均每個(gè)“SiO2”中含有硅氧鍵的數(shù)目為2+=4，所以1mol二氧化硅晶體中含有硅氧單鍵的數(shù)目為4NA，C正確； D．1個(gè)P4分子中含有6個(gè)P-P鍵，則1molP4晶體中，P-P鍵的數(shù)目為6NA，D不正確； 故選D。 6．B 【詳解】A．該整合物中無(wú)論是硝基中的N原子，還是中的N原子，還是六元環(huán)中的N原子，N均為雜化，即N只有1種雜化方式，A錯(cuò)誤； B．該螯合物通過(guò)螯合配位成環(huán)而形成的，與4個(gè)N原子形成兩個(gè)環(huán)、2個(gè)O形成1個(gè)環(huán)，共6個(gè)配位鍵，故1mol該配合物中通過(guò)整合作用形成6mol配位鍵，B正確； C．原子序數(shù)為48的Cd屬于ds區(qū)元素，C錯(cuò)誤； D．Cd的價(jià)電子排布式為4d105s2，D錯(cuò)誤； 故選B。 7．A 【詳解】A．如圖所示，每個(gè)水分子可以與另外四個(gè)水分子之間形成氫鍵，從而形成四面體結(jié)構(gòu)，A正確； B．冰晶體屬于分子晶體，B錯(cuò)誤； C．冰晶體中的水分子主要是靠氫鍵結(jié)合在一起，氫鍵不是化學(xué)鍵，而是一種分子間作用力，C錯(cuò)誤； D．冰晶體中形成的氫鍵具有方向性和飽和性，故水分子間由氫鍵連接后，分子間空隙變大，而冰融化成水后，體積減小，水分子之間空隙減小，D錯(cuò)誤； 故選A。 8．C 【詳解】A．金屬離子與自由電子間的作用越弱，金屬晶體的熔沸點(diǎn)越低，硬度越小，堿金屬離子所帶電荷量均相同，對(duì)應(yīng)陽(yáng)離子半徑從上至下依次增大，因此熔沸點(diǎn)：Li>Na>K>Rb，硬度：硬度：Li>Na>K>Rb，故A項(xiàng)錯(cuò)誤； B．同一主族從上至下非金屬性逐漸減小，因此非金屬性：F>Cl>Br>I，則簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：HF>HCl>HBr>HI；HF、HCl、HBr、HI均為分子化合物，由于HF分子間存在氫鍵，HCl、HBr、HI分子間均無(wú)氫鍵，而分子間氫鍵使沸點(diǎn)增大，因此沸點(diǎn)：S，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性：；為弱酸，且為C元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物，因此酸性：；非金屬性：，故C項(xiàng)正確； D．同一周期從左至右原子的第一電離能有增大的趨勢(shì)，P原子價(jià)電子排布式為3s23p3，其中p能級(jí)軌道半充滿，因此P原子相對(duì)較為穩(wěn)定，第一電離能：，同一周期從左至右元素的電負(fù)性逐漸增大，因此電負(fù)性：Cl>S>P，故D項(xiàng)錯(cuò)誤； 綜上所述，正確的是C項(xiàng)。 9．B 【詳解】A．碳化硅和硅都是共價(jià)晶體，共價(jià)晶體的熔點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，碳硅鍵的鍵長(zhǎng)小于硅硅鍵、鍵能大于硅硅鍵，則碳化硅的熔點(diǎn)高于硅，A正確； B．由對(duì)角線規(guī)則可知，處于對(duì)角線上的硼與硅的單質(zhì)性質(zhì)相似，B錯(cuò)誤； C．和互為同位素，核外電子數(shù)和核外電子排布相同，則價(jià)電子數(shù)相同，C正確； D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中銀原子的個(gè)數(shù)為，D正確； 故選B。 10．B 【詳解】A．晶胞中P位于頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8×+6×=4，B位于晶胞內(nèi)，數(shù)目為4，則磷化硼晶體的化學(xué)式為BP，由于磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤； B．根據(jù)A、B、D的坐標(biāo)參數(shù)可知C坐標(biāo)參數(shù)為(1，0.5，0.5)，B正確； C．磷化硼晶體是共價(jià)晶體，熔點(diǎn)高，C錯(cuò)誤； D．該晶胞配位數(shù)為4，而NaCl晶胞結(jié)構(gòu)中陰陽(yáng)離子的配位數(shù)均為6，所以磷化硼晶體結(jié)構(gòu)微粒的空間堆積方式與氯化鈉不相同，D錯(cuò)誤； 故選B。 11．C 【詳解】A．δ-Fe晶胞中，有8個(gè)鐵原子位于頂點(diǎn)處，一個(gè)位于晶胞內(nèi)，根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞中含有鐵原子個(gè)數(shù)為，A正確； B．γ-Fe位于頂點(diǎn)的Fe原子，被晶胞的三個(gè)平面共有，每個(gè)平面上有四個(gè)鐵原子與頂點(diǎn)處鐵原子距離最短，則共有3×4=12個(gè)，B正確； C．γ-Fe晶胞中，有8個(gè)鐵原子位于頂點(diǎn)，6個(gè)鐵原子位于面心，根據(jù)均攤法，一個(gè)晶胞含有鐵原子個(gè)數(shù)為，C錯(cuò)誤； D．依據(jù)得到晶體的條件可知，在急速冷卻時(shí)（立即降溫到912℃）得到α-Fe，緩慢冷卻時(shí)（緩慢冷卻到1394℃）得到γ-Fe，兩種晶體類型不同，D正確； 故答案選C。 12．A 【詳解】試題分析：A．NaCl晶體熔化時(shí)，離子鍵斷鍵，吸收的熱量用于破壞離子鍵，A正確； B．表中AlCl3、BCl3和干冰的熔沸點(diǎn)均較低，屬于分子晶體，B錯(cuò)誤； C．碳和硅是同一主族，但CO2是分子晶體， SiO2是原子晶體，C錯(cuò)誤； D．兩種含鈉化合物是離子晶體，氯化鋁是分子晶體，D錯(cuò)誤， 答案選A。 13．D 【分析】蝕刻廢液沉銅后得到氧化銅，氧化銅和稀硫酸反應(yīng)得到硫酸銅，加入亞硫酸鈉、氯化鈉，將二價(jià)銅轉(zhuǎn)化為一價(jià)銅生成氯化亞銅。 【詳解】A ．配體分子NH3????中心原子N為sp3雜化，形成的共價(jià)鍵是由N的sp3軌道和H的1s軌道形成的，A錯(cuò)誤； B．“沉銅”時(shí)，與氫氧根反應(yīng)生成CuO，根據(jù)質(zhì)量守恒可知還生成NH3和H2O，正確的離子方程式為：，B錯(cuò)誤； C．酸溶之后轉(zhuǎn)化為硫酸銅溶液，而后被亞硫酸鈉還原，生成氯化亞銅沉淀和硫酸鈉，故“還原”后所得溶液中大量存在的離子有：Na+、SO，C錯(cuò)誤； D．CuCl容易被氧化，“洗滌”時(shí)使用乙醇能隔絕空氣，防止CuCl被氧化，D正確； 故選D。 14．B 【詳解】A．含N、O元素的電負(fù)性大，原子半徑小，它們的氫化物之間含氫鍵，則N2H4能與水分子形成分子間氫鍵，A正確； B．圖中白球位于頂點(diǎn)和體心，其個(gè)數(shù)為8×+1=2；黑球位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為4，則白球與黑球的個(gè)數(shù)比為1：2，由Cu2O可知黑球?yàn)镃u+，白球的配位數(shù)為4，Cu+的配位數(shù)是8，B錯(cuò)誤； C．由反應(yīng)可知生成l mol氣體轉(zhuǎn)化4 mol電子，每生成標(biāo)準(zhǔn)狀況下2.24 L N2，其物質(zhì)的量是0.1 mol，則反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.4×6.02×1023，C正確； D．乙醇與水互溶，且具有還原性，則沉淀用水洗后，再用乙醇洗可以除去Cu2O表面的水，防止被氧氣氧化，D正確； 故合理選項(xiàng)是B。 15．D 【詳解】A．Ni是28號(hào)元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d84s2，可知其處干第四周期第Ⅷ族，故A正確； B．NaCl晶體中離子的配位數(shù)為6, NiO晶體與NaCl具有相同晶胞結(jié)構(gòu)，NiO晶體中Ni2+、O2-的配位數(shù)均為6，故B正確； C．如圖晶胞結(jié)構(gòu)： (以Ni為研究對(duì)象，每個(gè)晶胞面對(duì)角線上的4個(gè)Ni形成正四面體空隙，晶胞中含有8個(gè)正四面體空隙，6個(gè)面心Ni形成正八面體空隙，同一棱頂點(diǎn)Ni與2個(gè)面心Ni形成正八面體空隙的，晶胞含有正八面體空隙為，NiO晶胞中八面體空隙與四面體空隙比為4: 8=1: 2，故C正確； D．取平面NiO基本結(jié)構(gòu)單元為 ，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元含1個(gè)“NiO”，取質(zhì)量為， O2-的半徑為r pm，則結(jié)構(gòu)單元的面積為2r× 10-10cm×2r×10-10cm×sin60°，則該“單分子層”面積密度為 ??????=，故D錯(cuò)誤； 故答案選 D。 16．C 【詳解】A． 中環(huán)上由5個(gè)原子參與成鍵，與乙基相連的N原子提供2個(gè)電子，每個(gè)碳原子提供1個(gè)電子，與甲基相連的N原子提供1個(gè)電子，故該大π鍵應(yīng)表示為π，A正確； B．Al2Cl中每個(gè)Al原子周圍形成4對(duì)共用電子對(duì)，則其結(jié)構(gòu)式為： ，各原子最外層均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，B正確； C．一個(gè)單鍵一個(gè)σ鍵，一個(gè)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵和π鍵，1個(gè)EMIM+中所含σ鍵有19個(gè)，1mol EMIM+中所含σ鍵為19mol，C錯(cuò)誤； D．氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉，使該離子不易以單個(gè)形式存在，所以與N原子相連的－CH3、－C2H5不能被氫原子替換，D正確； 故選C。 17．(1)AC (2) 正四面體 12 (3)(，，) (4) 【詳解】（1）A．GaN晶體中1個(gè)N原子和周圍四個(gè)Ga原子形成極性共價(jià)鍵，1個(gè)Ga原子和周圍四個(gè)N原子形成極性共價(jià)鍵，不存在非極性共價(jià)鍵，A錯(cuò)誤； B ．Ga電負(fù)性小于同周期的元素As，N的電負(fù)性大于同主族元素As，所以電負(fù)性：N>Ga，B正確； C．N原子半徑小于同主族元素As，Ga原子半徑大于同周期的元素As，所以原子半徑NN>H sp3 乙二胺可以形成分子間氫鍵 (5)BC 【詳解】（1）金屬銅的原子堆積模型位面心立方最密堆積，該晶胞中每個(gè)Cu原子周圍最近距離的Cu原子數(shù)目為12； （2）根據(jù)信息可知能與形成配位鍵，中除了配位鍵外，Na+與之間存在離子鍵，之間存在極性共價(jià)鍵，故還存在的化學(xué)鍵類型有離子鍵、極性共價(jià)鍵，故答案為：AC； （3）①將CuO投入、生成，CuO被浸取的離子方程式為； ②結(jié)構(gòu)中，若用兩個(gè)分子代替兩個(gè)分子，如果是正四面體結(jié)構(gòu)，兩個(gè)分子代替兩個(gè)分子，得到只有一種結(jié)構(gòu)；可以得到兩種不同結(jié)構(gòu)的化合物，由此推測(cè)的空間構(gòu)型為正方形結(jié)構(gòu)； （4）③同周期元素從左到右電負(fù)性依次增大，故電負(fù)性為O>N>H； ④乙二胺分子中N原子與H和C形成3個(gè)鍵，有一對(duì)個(gè)電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)為4，采取sp3雜化；乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺不能形成氫鍵，只有分子間作用力，所以乙二胺沸點(diǎn)高； （5）具有未成對(duì)電子的物質(zhì)具有順磁性，Cu+價(jià)電子排布為3d10，Cu2+價(jià)電子排布為3d9，+2價(jià)的銅離子形成的物質(zhì)具有順磁性，故答案為BC； 19．(1) Li+ 4 (2) 4：5 正四面體形 7NA 【詳解】（1）①由題中圖示可以看出圖-1、圖-2中小球表示的是Li+； ②根據(jù)Li+ 數(shù)目計(jì)算，Li+位于頂點(diǎn)和面心和棱心，Li+ 數(shù)為，故圖-1中每個(gè)晶胞中含有的單元數(shù)有4個(gè)； 故答案為：Li+；4。 （2）①基態(tài)的電子排布式為[Ar]3d6，未成對(duì)的電子有4個(gè)，電子排布式為[Ar]3d5，未成對(duì)的電子有5個(gè)，離子中未成對(duì)的電子數(shù)之比為4:5； ②磷酸根離子中心原子成4個(gè)鍵，價(jià)層電子對(duì)為4，采取sp3雜化，空間構(gòu)型為正四面體形； ③1mol分子中含有的σ鍵的數(shù)目為7NA； ④根據(jù)流程圖可知、和煅燒得到，化學(xué)方程式為； ⑤由得失電子守恒：，有煅燒方程式可知：，故有，二者物質(zhì)的量之比為1：1，理論上所需17%雙氧水與的質(zhì)量比為； 故答案為：4:5；正四面體形；7NA；；100:63。 20．(1)4s24p5 (2) 4 sp3 N>C>H 21 (3) Cl- (4) CsBr NaBr、KBr、RbBr、CsBr均為離子晶體，離子所帶電荷相同，陽(yáng)離子半徑依次增大，晶格能依次減小，熔點(diǎn)依次降低 (5) 或 A 【詳解】（1）Br在元素周期表中處于第四周期第ⅦA族，價(jià)電子排布式為； （2）中N形成4個(gè)鍵，不存在孤電子對(duì)，因此價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4；雜化軌道類型為；中涉及的元素為N、C、H，同一周期從左向右電負(fù)性逐漸增大，結(jié)合兩種元素形成的化合物的價(jià)態(tài)分析，得知電負(fù)性從大到小的順序?yàn)镹>C>H；1mol中存在8mol鍵，9mol鍵，1mol鍵，3mol鍵，共21mol鍵。 （3）正四面體構(gòu)型的、、配離子中中心原子為Pb，配體分別為、、，同一主族元素，從上到下離子半徑依次增大，半徑最小的為；根據(jù)中每個(gè)Pb均采用四配位模式，則每個(gè)Pb會(huì)形成四個(gè)配位鍵，結(jié)合化學(xué)式判斷結(jié)構(gòu)式為。 （4）NaBr、KBr、RbBr、CsBr均為離子化合物，加熱達(dá)到熔點(diǎn)形成熔融態(tài)可以電離出自由移動(dòng)的離子導(dǎo)電，因此等量NaBr、KBr、RbBr、CsBr同時(shí)開(kāi)始加熱，優(yōu)先導(dǎo)電的是熔點(diǎn)低的物質(zhì)；NaBr、KBr、RbBr、CsBr熔點(diǎn)呈現(xiàn)遞減趨勢(shì)的原因是均為離子晶體，離子所帶電荷相同，陽(yáng)離子半徑依次增大，晶格能依次減小，熔點(diǎn)依次降低。 （5）三維立方鈣鈦礦中三種離子在晶胞(a)中占據(jù)正方體頂點(diǎn)、面心、體心位置，并且三種離子在面、面、面上的位置相同，推出其晶胞結(jié)構(gòu)為。①位于面心，晶胞中的數(shù)目為，位于頂點(diǎn)，晶胞中的數(shù)目為，位于體心，晶胞中的數(shù)目為1，平均每個(gè)晶胞中占有的的數(shù)目均為1，若晶胞邊長(zhǎng)為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則晶胞的體積為，晶體的密度為。②，沿體對(duì)角線方向的投影圖為，選A。